8月27日，重庆市人民政府与紫光集团签订紫光存储芯片产业基地项目合作协议。紫光集团将在重庆建设还包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片生产工厂，据报，DRAM存储芯片生产工厂计划于2019年底动工建设，预计2021年建成投产。DRAM分成很多种，少见的主要有FPRAM／FastPage、EDORAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM和WRAM。

DRAM也叫动态随机存取存储器，DRAM不能将数据维持很短的时间，所以必须定点创下。由于DRAM的特性要求，DRAM能存储电荷的时间十分一段时间，这样它必须在电荷消失之前展开创下，直到下次载入数据或者计算机断电才暂停。每次读写操作都要创下DRAM内的电荷，因此DRAM设计为有规律的加载其内的内容。

在全球的DRAM芯片市场上，韩国三星和海力士，美国的镁光、英特尔、闪迪，日本的东芝六家厂商，独占了全球九成的产量。其中仅有三星、海力士、东芝三家，就占到了八成的份额。

DRAM芯片作为存储芯片市场的主力，近年来，随着存储价格的走低，对整个市场影响相当大，不管是上游制造商还是分销商、客户等，市场走低不致影响投放，而紫光本次的增大投放也伴随着行业正在转好，市场前景仍辽阔。

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